岗位职责
1.主导公司所有数字电路后端设计全流程,包括综合(Synthesis)、静态时序分析(STA)、可测性设计(DFT)、布局布线(P&R)及物理验证(DRC/LVS)。
2.制定后端设计规范,优化时序收敛、功耗分析(IR/EM)、信号完整性(SI)等关键指标,确保芯片性能达标。
3.负责芯片级/IP级物理实现(从RTL到GDSII),主导TOP层floorplan规划、时钟树综合(CTS)及后端设计风险预判。
4.建立自动化设计流程,开发脚本工具(Tcl/Perl/Python)提升P&R效率,推动先进工艺设计方法学落地。
5.解决先进工艺节点(如16nm及以下)的时序、功耗、面积(PPA)优化难题,主导设计规则检查(DRC)和流片问题复盘。
6.与芯片架构定义,从后端实现角度提出可制造性设计(DFM)建议。
任职要求
1.微电子/集成电路/电子工程专业本科及以上学历。
2.6年以上数字后端设计经验,至少1次FinFET工艺(7nm及以下)流片经验,完整主导过超大规模SOC芯片(如CPU/DDR模块)后端设计。
3.精通Cadence Innovus/Synopsys ICC2等P&R工具,熟练掌握PrimeTime、Tempus等STA签核工具。熟悉UPF低功耗设计流程及DFT插入(ATPG、MBIST)。
熟练使用Tcl/Perl/Python实现流程自动化,具备EDA工具二次开发经验者优先。
4.具备技术规划能力,能制定团队技术路线并推动落地。
5.抗压能力强,适应高强度项目周期(如大型SOC开发)。
6.熟悉异构集成技术,或者有车规级芯片或NPU/GPU后端设计经验者优先考虑